Per què la puresa de l'ànode controla la qualitat del revestiment
En galvanoplastia, l'ànode es dissol per reposar els ions de coure al bany. Cada impuresa de l'ànode entra a la solució i es codifica a la capa xapada, o roman com a residu insoluble que s'acumula com a fang. En treballs d'alta-precisió, com ara el cop d'hòsties de semiconductors, el revestiment de-circuits impresos a través de-forats i l'acabat decoratiu, qualsevol dels efectes degrada el dipòsit: les impureses codificades canvien l'estructura i la duresa del gra, mentre que el fang endureix la superfície i bloqueja les bosses d'ànode.
Com es diferencia el C10100 dels ànodes estàndard
El coure de pas -electrolític estàndard (C11000) conté entre un 0,02 i un 0,04% d'oxigen i nivells de traça més alts de plata, plom i sofre. Durant la dissolució, aquests elements no es comporten de manera uniforme: la plata i el plom poden precipitar, les regions que contenen oxigen-es dissolen de manera desigual i els compostos de sofre contribueixen a la formació de residus insolubles. El C10100 es perfecciona per obtenir un grau electrònic lliure d'oxigen-, amb oxigen per sota de 5 ppm i límits estrictes per a totes les impureses metàl·liques. L'ànode es dissol de manera neta i uniforme, els ions de coure entren a la solució sense arrossegar oligoelements no desitjats i la distribució de tensió a través del dipòsit es manté estable.
Límits d'impureses i el seu efecte
| Element traça | C10100 Límit | Efecte sobre el xapat |
|---|---|---|
| Plata | 25 ppm màxim | Creixement desigual del gra al jaciment |
| Oxigen | 5 ppm màxim | Polarització i ànodes passius |
| Plom | 5 ppm màxim | Contaminació del bany, dipòsits fràgils |
| Sofre | 15 ppm màxim | Formació de fangs insolubles |
| Fòsfor | 3 ppm màxim | Reducció de la conductivitat i inestabilitat de la pel·lícula |
Per què és important l'estructura lliure d'oxigen-
Els ànodes que contenen oxigen desenvolupen òxid cupros als límits del gra. Al bany de revestiment, aquestes partícules d'òxid es poden convertir en llocs per a una dissolució no-uniforme, provocant picats a la superfície de l'ànode i concentració de corrent localitzada. L'estructura lliure d'oxigen-del C10100 elimina aquest mecanisme, donant una taxa de consum d'ànode suau i previsible que simplifica la gestió del bany i redueix la freqüència de neteja de la bossa d'ànode.
Aplicacions
Els ànodes C10100 s'utilitzen en galvanoplastia de semiconductors, revestiment de plaques de circuits impresos-, revestiment de connectors i marcs de plom-, blindatge EMI, revestiment decoratiu on es requereixen acabats de mirall i cèl·lules de recerca de refinament electrolític. Les formes d'ànode inclouen barres rodones, quadrades i planes, boles i formes personalitzades-mecanitzades a la mida de la geometria del dipòsit.
Preguntes freqüents
P: Què significa OFE?
R: electrònica-sense oxigen, la designació de grau aplicada al coure C10100.
P: Per què es formen fangs d'ànode?
R: Les impureses insolubles de l'ànode no es dissolen al bany i s'acumulen com a residus al fons del dipòsit.
P: C10100 és el mateix que el coure OFHC?
R: No. OFHC és una designació de procés aplicada històricament a C10200; C10100 és l'especificació-electrònica amb límits de traça més estrictes.
P: Quina és la puresa dels ànodes C10100?
A: 99,99 per cent de coure mínim.
P: Els ànodes C10100 costen més que els ànodes estàndard?
R: Sí, a causa del refinament addicional, però els estalvis en el manteniment del bany, les taxes de rebuig i la qualitat del dipòsit solen pagar la prima en treballs de precisió.
P: Quina forma d'ànode és millor per a un tanc determinat?
R: Les formes de barres i boles s'adapten a la majoria de banys industrials; l'elecció depèn de la distribució de la densitat de corrent i dels requisits de l'àrea de l'ànode.
